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Numero parte | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
LIXINC Part # | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TJ10S04M3L(T6L1,NQ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVI |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 6V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 44mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | +10V, -20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 930 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 27W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DPAK+ |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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In magazzino | 10988 - Maggiori informazioni su Ordine |
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