Solo per riferimento
Numero parte | RQ3E150BNTB |
LIXINC Part # | RQ3E150BNTB |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RQ3E150BNTB Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | RQ3E150BNTB |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 15A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 5.3mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 3000 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-HSMT (3.2x3) |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
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In magazzino | 10977 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48000 | $0.48 |
3000 | $0.16174 | $485.22 |
6000 | $0.15130 | $907.8 |
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