TK65S04N1L,LQ

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Numero parte TK65S04N1L,LQ
LIXINC Part # TK65S04N1L,LQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK65S04N1L,LQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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TK65S04N1L,LQ Specifiche

Numero parte:TK65S04N1L,LQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:65A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 300µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2550 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):107W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK+
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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