2N7000-D26Z

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Numero parte 2N7000-D26Z
LIXINC Part # 2N7000-D26Z
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2N7000-D26Z Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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2N7000-D26Z Specifiche

Numero parte:2N7000-D26Z
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:50 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92-3
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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