Solo per riferimento
Numero parte | EPC2001C |
LIXINC Part # | EPC2001C |
Produttore | EPC |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | EPC2001C Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | EPC2001C |
Marca: | EPC |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | EPC |
serie: | eGaN® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 36A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7mOhm @ 25A, 5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 5mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 9 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | +6V, -4V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 900 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | - |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | Die Outline (11-Solder Bar) |
pacchetto/caso: | Die |
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In magazzino | 90163 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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