EPC2001C

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Numero parte EPC2001C
LIXINC Part # EPC2001C
Produttore EPC
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD EPC2001C Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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EPC2001C Specifiche

Numero parte:EPC2001C
Marca:EPC
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:EPC
serie:eGaN®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:36A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:7mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 5 V
vgs (massimo):+6V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:900 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die Outline (11-Solder Bar)
pacchetto/caso:Die

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