SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3
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Numero parte SIHJ7N65E-T1-GE3
LIXINC Part # SIHJ7N65E-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIHJ7N65E-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SIHJ7N65E-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIHJ7N65E-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:598mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):96W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® SO-8
pacchetto/caso:PowerPAK® SO-8

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