SSM3K335R,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K335R,LF

SSM3K335R,LF

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Numero parte	SSM3K335R,LF
LIXINC Part #	SSM3K335R,LF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SSM3K335R,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SSM3K335R,LF Specifiche

Numero parte:	SSM3K335R,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVII-H
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	6A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	38mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	2.7 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	340 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1W (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-23F
pacchetto/caso:	SOT-23-3 Flat Leads

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IRFR1010ZTRLPBF	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK	915 Maggiori informazioni su Ordine
BSP149L6906HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	112997 Maggiori informazioni su Ordine
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SIE812DF-T1-GE3	MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK	1909 Maggiori informazioni su Ordine
IRFU320PBF	MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA	929 Maggiori informazioni su Ordine
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