RQ3E180BNTB

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Numero parte RQ3E180BNTB
LIXINC Part # RQ3E180BNTB
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RQ3E180BNTB Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ3E180BNTB Specifiche

Numero parte:RQ3E180BNTB
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:39A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2W (Ta), 20W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-HSMT (3.2x3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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