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FQPF19N10

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Numero parte	FQPF19N10
LIXINC Part #	FQPF19N10
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQPF19N10 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQPF19N10 Specifiche

Numero parte:	FQPF19N10
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	13.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	780 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	38W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220F
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

RM1505S	MOSFET N-CHANNEL 150V 5.1A 8SOP	889 Maggiori informazioni su Ordine
IRFR825TRPBF	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK	831 Maggiori informazioni su Ordine
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IPD60R3K4CEAUMA1	MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3	890 Maggiori informazioni su Ordine
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2N7002W-7-F	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323	770827 Maggiori informazioni su Ordine
SCT3105KLGC11	SICFET N-CH 1200V 24A TO247N	1255 Maggiori informazioni su Ordine
R6020ENZ1C9	MOSFET N-CH 600V 20A TO247	1005 Maggiori informazioni su Ordine
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STP410N4F7AG	MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220	856 Maggiori informazioni su Ordine
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