R6050JNZ4C13

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Numero parte R6050JNZ4C13
LIXINC Part # R6050JNZ4C13
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD R6050JNZ4C13 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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R6050JNZ4C13 Specifiche

Numero parte:R6050JNZ4C13
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):15V
rds su (max) @ id, vgs:83mOhm @ 25A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:7V @ 5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 15 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4500 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):615W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247G
pacchetto/caso:TO-247-3

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