STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1
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Numero parte STB80NF55L-08-1
LIXINC Part # STB80NF55L-08-1
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STB80NF55L-08-1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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STB80NF55L-08-1 Specifiche

Numero parte:STB80NF55L-08-1
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:STripFET™ II
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4350 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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