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Numero parte | G3R75MT12J |
LIXINC Part # | G3R75MT12J |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | G3R75MT12J Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | G3R75MT12J |
Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | GeneSiC Semiconductor |
serie: | G3R™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 42A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 15V |
rds su (max) @ id, vgs: | 90mOhm @ 20A, 15V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.69V @ 7.5mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 54 nC @ 15 V |
vgs (massimo): | ±15V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1560 pF @ 800 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 224W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-263-7 |
pacchetto/caso: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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In magazzino | 11331 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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