G3R75MT12J

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Numero parte G3R75MT12J
LIXINC Part # G3R75MT12J
Produttore GeneSiC Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD G3R75MT12J Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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G3R75MT12J Specifiche

Numero parte:G3R75MT12J
Marca:GeneSiC Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:GeneSiC Semiconductor
serie:G3R™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:42A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):15V
rds su (max) @ id, vgs:90mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id:2.69V @ 7.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 15 V
vgs (massimo):±15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1560 pF @ 800 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):224W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263-7
pacchetto/caso:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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