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Numero parte | IRFB7546PBF |
LIXINC Part # | IRFB7546PBF |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRFB7546PBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRFB7546PBF |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 75A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 6V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7.3mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.7V @ 100µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 87 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 3000 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 99W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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5HN02N | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 38374 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRF40R207 | MOSFET N-CH 40V 56A TO252 | 925 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11433 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.04000 | $1.04 |
10 | $0.92880 | $9.288 |
100 | $0.74432 | $74.432 |
500 | $0.58824 | $294.12 |
1000 | $0.47472 | $474.72 |
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