Solo per riferimento
Numero parte | AOUS66616 |
LIXINC Part # | AOUS66616 |
Produttore | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | AOUS66616 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | AOUS66616 |
Marca: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
serie: | AlphaSGT™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 33A (Ta), 92A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 6V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.3mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2870 pF @ 30 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | UltraSO-8™ |
pacchetto/caso: | 3-PowerSMD, Flat Leads |
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In magazzino | 13922 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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