RQ1C065UNTR

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Numero parte RQ1C065UNTR
LIXINC Part # RQ1C065UNTR
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RQ1C065UNTR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RQ1C065UNTR Specifiche

Numero parte:RQ1C065UNTR
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:870 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TSMT8
pacchetto/caso:8-SMD, Flat Lead

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