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Numero parte | FDP027N08B-F102 |
LIXINC Part # | FDP027N08B-F102 |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDP027N08B-F102 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDP027N08B-F102 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 80 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 178 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 13530 pF @ 40 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 246W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220-3 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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In magazzino | 11290 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.31000 | $3.31 |
10 | $2.96705 | $29.6705 |
100 | $2.45023 | $245.023 |
800 | $1.81805 | $1454.44 |
1600 | $1.70311 | $2724.976 |
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