IPD60R750E6BTMA1

IPD60R750E6BTMA1
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Numero parte IPD60R750E6BTMA1
LIXINC Part # IPD60R750E6BTMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPD60R750E6BTMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPD60R750E6BTMA1 Specifiche

Numero parte:IPD60R750E6BTMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:CoolMOS™ E6
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:750mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 170µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:373 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):48W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO252-3-313
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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