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IRF530NSTRLPBF

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Numero parte	IRF530NSTRLPBF
LIXINC Part #	IRF530NSTRLPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF530NSTRLPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF530NSTRLPBF Specifiche

Numero parte:	IRF530NSTRLPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	17A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	920 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.8W (Ta), 70W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D2PAK
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK7Y41-80EX	MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56	917 Maggiori informazioni su Ordine
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2SK2529-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	1235 Maggiori informazioni su Ordine
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