IRLI520NPBF

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Numero parte IRLI520NPBF
LIXINC Part # IRLI520NPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRLI520NPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRLI520NPBF Specifiche

Numero parte:IRLI520NPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.1A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 5 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:440 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB Full-Pak
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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