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Numero parte | IRLI520NPBF |
LIXINC Part # | IRLI520NPBF |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRLI520NPBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRLI520NPBF |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | HEXFET® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8.1A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 180mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±16V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 440 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB Full-Pak |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
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In magazzino | 10811 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.38000 | $0.38 |
10 | $0.33533 | $3.3533 |
100 | $0.26500 | $26.5 |
500 | $0.20552 | $102.76 |
1000 | $0.16225 | $162.25 |
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