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ISL9N303AS3ST

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Numero parte	ISL9N303AS3ST
LIXINC Part #	ISL9N303AS3ST
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	ISL9N303AS3ST Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

ISL9N303AS3ST Specifiche

Numero parte:	ISL9N303AS3ST
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	UltraFET™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	172 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	7 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	215W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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NTMFS4982NFT1G	MOSFET N-CH 30V 26.5A/207A 5DFN	2484 Maggiori informazioni su Ordine
IXFP36N30P3	MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB	1675 Maggiori informazioni su Ordine
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AON6240	MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN	4978 Maggiori informazioni su Ordine
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