NTMFS4C09NAT1G

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Numero parte NTMFS4C09NAT1G
LIXINC Part # NTMFS4C09NAT1G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NTMFS4C09NAT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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NTMFS4C09NAT1G Specifiche

Numero parte:NTMFS4C09NAT1G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Ta), 52A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:1.9 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.252 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):760mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN, 5 Leads

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