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BSC091N03MSCGATMA1

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Numero parte	BSC091N03MSCGATMA1
LIXINC Part #	BSC091N03MSCGATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSC091N03MSCGATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSC091N03MSCGATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSC091N03MSCGATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	*
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	-
tecnologia:	-
tensione drain-source (vdss):	-
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	-
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	-
temperatura di esercizio:	-
tipo di montaggio:	-
pacchetto del dispositivo del fornitore:	-
pacchetto/caso:	-

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