IRLR2908PBF

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Numero parte IRLR2908PBF
LIXINC Part # IRLR2908PBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRLR2908PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRLR2908PBF Specifiche

Numero parte:IRLR2908PBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:28mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.89 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):120W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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