FDS6680

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Numero parte FDS6680
LIXINC Part # FDS6680
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDS6680 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FDS6680 Specifiche

Numero parte:FDS6680
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.07 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOIC
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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