FQI27N25TU

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Numero parte FQI27N25TU
LIXINC Part # FQI27N25TU
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQI27N25TU Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQI27N25TU Specifiche

Numero parte:FQI27N25TU
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:110mOhm @ 12.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.45 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.13W (Ta), 180W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK (TO-262)
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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