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IPB60R250CPATMA1

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Numero parte	IPB60R250CPATMA1
LIXINC Part #	IPB60R250CPATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB60R250CPATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB60R250CPATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB60R250CPATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	12A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 440µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1.2 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	104W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK11A55D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS	936 Maggiori informazioni su Ordine
CSD18542KTT	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK	9812 Maggiori informazioni su Ordine
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