IPB160N04S203ATMA4 | Rochester Electronics IPB160N04S203ATMA4 | IPB160N04S203ATMA4 Inventory, Best Pricing

IPB160N04S203ATMA4

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Numero parte	IPB160N04S203ATMA4
LIXINC Part #	IPB160N04S203ATMA4
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB160N04S203ATMA4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB160N04S203ATMA4 Specifiche

Numero parte:	IPB160N04S203ATMA4
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	160A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	170 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	5.3 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	300W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-7-3
pacchetto/caso:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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