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Numero parte | 2SK209-GR(TE85L,F) |
LIXINC Part # | 2SK209-GR(TE85L,F) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | TRANS SJT N-CH 10MA SC59 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2SK209-GR(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | 2SK209-GR(TE85L,F) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | - |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 10mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | - |
rds su (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | - |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 13 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SC-59 |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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In magazzino | 13945 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.50000 | $0.5 |
3000 | $0.16630 | $498.9 |
6000 | $0.15557 | $933.42 |
15000 | $0.15021 | $2253.15 |
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