2SK209-GR(TE85L,F)

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Numero parte 2SK209-GR(TE85L,F)
LIXINC Part # 2SK209-GR(TE85L,F)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione TRANS SJT N-CH 10MA SC59
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SK209-GR(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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2SK209-GR(TE85L,F) Specifiche

Numero parte:2SK209-GR(TE85L,F)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):-
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:13 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 125°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SC-59
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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