Solo per riferimento
Numero parte | PMZB550UNEYL |
LIXINC Part # | PMZB550UNEYL |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PMZB550UNEYL Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 06 - Jul 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | PMZB550UNEYL |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 590mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 670mOhm @ 590mA, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 950mV @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 1.1 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 30.3 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DFN1006B-3 |
pacchetto/caso: | 3-XFDFN |
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In magazzino | 12309 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.34000 | $0.34 |
10000 | $0.07176 | $717.6 |
30000 | $0.06783 | $2034.9 |
50000 | $0.06115 | $3057.5 |
100000 | $0.05998 | $5998 |
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