FDMS8560S

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Numero parte FDMS8560S
LIXINC Part # FDMS8560S
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione 35A, 25V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDMS8560S Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 06 - Jul 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS8560S Specifiche

Numero parte:FDMS8560S
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®, SyncFET™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Ta), 70A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4.35 pF @ 13 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 65W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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