FQP9N90C

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Numero parte FQP9N90C
LIXINC Part # FQP9N90C
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQP9N90C Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FQP9N90C Specifiche

Numero parte:FQP9N90C
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):900 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:58 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.73 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):205W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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