NP82N04NDG-S18-AY

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Numero parte NP82N04NDG-S18-AY
LIXINC Part # NP82N04NDG-S18-AY
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NP82N04NDG-S18-AY Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NP82N04NDG-S18-AY Specifiche

Numero parte:NP82N04NDG-S18-AY
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:82A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:150 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9000 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 143W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:3-LDPAK
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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