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IPB04N03LAT

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Numero parte	IPB04N03LAT
LIXINC Part #	IPB04N03LAT
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB04N03LAT Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB04N03LAT Specifiche

Numero parte:	IPB04N03LAT
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 60µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3877 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	107W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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