IRFH5110TRPBF

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Numero parte IRFH5110TRPBF
LIXINC Part # IRFH5110TRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFH5110TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFH5110TRPBF Specifiche

Numero parte:IRFH5110TRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Ta), 63A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:12.4mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:72 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3152 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 114W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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