NTLJF4156NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

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Numero parte	NTLJF4156NT1G
LIXINC Part #	NTLJF4156NT1G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTLJF4156NT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 12 - Sep 16 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTLJF4156NT1G Specifiche

Numero parte:	NTLJF4156NT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.5A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	427 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):	710mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	6-WDFN (2x2)
pacchetto/caso:	6-WDFN Exposed Pad

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