Solo per riferimento
Numero parte | NTLJF4156NT1G |
LIXINC Part # | NTLJF4156NT1G |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTLJF4156NT1G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 12 - Sep 16 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | NTLJF4156NT1G |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.5A (Tj) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 70mOhm @ 2A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 6.5 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 427 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | Schottky Diode (Isolated) |
dissipazione di potenza (max): | 710mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 6-WDFN (2x2) |
pacchetto/caso: | 6-WDFN Exposed Pad |
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In magazzino | 10838 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
3000 | $0.53000 | $1590 |
6000 | $0.49580 | $2974.8 |
15000 | $0.46159 | $6923.85 |
30000 | $0.43767 | $13130.1 |
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