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STB35N60DM2

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Numero parte	STB35N60DM2
LIXINC Part #	STB35N60DM2
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	STB35N60DM2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

STB35N60DM2 Specifiche

Numero parte:	STB35N60DM2
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	MDmesh™ DM2
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	28A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	54 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	210W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D2PAK
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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