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Numero parte | IRF820ASPBF |
LIXINC Part # | IRF820ASPBF |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRF820ASPBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRF820ASPBF |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 500 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.5A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 340 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D2PAK |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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In magazzino | 11845 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.76000 | $1.76 |
50 | $1.41662 | $70.831 |
100 | $1.24520 | $124.52 |
500 | $0.97565 | $487.825 |
1000 | $0.77963 | $779.63 |
2500 | $0.73062 | $1826.55 |
5000 | $0.69632 | $3481.6 |
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