Solo per riferimento
Numero parte | NDP6060L |
LIXINC Part # | NDP6060L |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NDP6060L Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NDP6060L |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 48A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 20mOhm @ 24A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 60 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±16V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2000 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220-3 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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In magazzino | 14975 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.63000 | $2.63 |
10 | $2.37558 | $23.7558 |
100 | $1.90894 | $190.894 |
800 | $1.34048 | $1072.384 |
1600 | $1.23019 | $1968.304 |
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