TSM80N1R2CI C0G

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Numero parte TSM80N1R2CI C0G
LIXINC Part # TSM80N1R2CI C0G
Produttore TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TSM80N1R2CI C0G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TSM80N1R2CI C0G Specifiche

Numero parte:TSM80N1R2CI C0G
Marca:TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:19.4 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:685 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:ITO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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