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Numero parte | TSM80N1R2CI C0G |
LIXINC Part # | TSM80N1R2CI C0G |
Produttore | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TSM80N1R2CI C0G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TSM80N1R2CI C0G |
Marca: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 800 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 5.5A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.2Ohm @ 1.8A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 19.4 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 685 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | ITO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
IPB096N03LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 957 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11803 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.19000 | $3.19 |
10 | $2.87567 | $28.7567 |
100 | $2.31080 | $231.08 |
500 | $1.79730 | $898.65 |
1000 | $1.48918 | $1489.18 |
3000 | $1.43783 | $4313.49 |
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