PHK12NQ03LT,518

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Numero parte PHK12NQ03LT,518
LIXINC Part # PHK12NQ03LT,518
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHK12NQ03LT,518 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHK12NQ03LT,518 Specifiche

Numero parte:PHK12NQ03LT,518
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11.8A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17.6 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.335 pF @ 16 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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