CSD16325Q5

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Numero parte CSD16325Q5
LIXINC Part # CSD16325Q5
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD16325Q5 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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CSD16325Q5 Specifiche

Numero parte:CSD16325Q5
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:33A (Ta), 100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):3V, 8V
rds su (max) @ id, vgs:2mOhm @ 30A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id:1.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):+10V, -8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4000 pF @ 12.5 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-VSON-CLIP (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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