IXTX200N10L2

IXTX200N10L2
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Numero parte IXTX200N10L2
LIXINC Part # IXTX200N10L2
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTX200N10L2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IXTX200N10L2 Specifiche

Numero parte:IXTX200N10L2
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:Linear L2™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:11mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 3mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:540 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:23000 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1040W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PLUS247™-3
pacchetto/caso:TO-247-3

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