IPB80N06S209ATMA1

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Numero parte IPB80N06S209ATMA1
LIXINC Part # IPB80N06S209ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB80N06S209ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPB80N06S209ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPB80N06S209ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 125µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.36 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):190W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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