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SCTW100N65G2AG

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Numero parte	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SCTW100N65G2AG Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SCTW100N65G2AG Specifiche

Numero parte:	SCTW100N65G2AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	18V
rds su (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (massimo):	+22V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3315 pF @ 520 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	420W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	HiP247™
pacchetto/caso:	TO-247-3

BSS119NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3	30572 Maggiori informazioni su Ordine
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