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Numero parte | SI3493DDV-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI3493DDV-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI3493DDV-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI3493DDV-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.8V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 30 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1825 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 6-TSOP |
pacchetto/caso: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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In magazzino | 12932 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
3000 | $0.12784 | $383.52 |
6000 | $0.12050 | $723 |
15000 | $0.11315 | $1697.25 |
30000 | $0.10434 | $3130.2 |
75000 | $0.10067 | $7550.25 |
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