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Numero parte | BSS225H6327FTSA1 |
LIXINC Part # | BSS225H6327FTSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSS225H6327FTSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | BSS225H6327FTSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | SIPMOS® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 90mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 45Ohm @ 90mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.3V @ 94µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5.8 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 131 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-SOT89 |
pacchetto/caso: | TO-243AA |
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In magazzino | 12041 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.66000 | $0.66 |
1000 | $0.29265 | $292.65 |
2000 | $0.26920 | $538.4 |
5000 | $0.25358 | $1267.9 |
10000 | $0.23796 | $2379.6 |
25000 | $0.22702 | $5675.5 |
50000 | $0.22588 | $11294 |
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