IPP60R1K4C6XKSA1 | Rochester Electronics IPP60R1K4C6XKSA1 | IPP60R1K4C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP60R1K4C6XKSA1

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Numero parte	IPP60R1K4C6XKSA1
LIXINC Part #	IPP60R1K4C6XKSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPP60R1K4C6XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 04 - Jul 08 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPP60R1K4C6XKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPP60R1K4C6XKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 90µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	1.1 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	28.4W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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