SQ1470AEH-T1_GE3

SQ1470AEH-T1_GE3
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Numero parte SQ1470AEH-T1_GE3
LIXINC Part # SQ1470AEH-T1_GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SQ1470AEH-T1_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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SQ1470AEH-T1_GE3 Specifiche

Numero parte:SQ1470AEH-T1_GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:65mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.6V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5.2 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.3W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-363, SC70
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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