IPP029N06NAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP029N06NAKSA1 | IPP029N06NAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP029N06NAKSA1

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Numero parte	IPP029N06NAKSA1
LIXINC Part #	IPP029N06NAKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPP029N06NAKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPP029N06NAKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPP029N06NAKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	24A (Ta), 100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.8V @ 75µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 30 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3W (Ta), 136W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

SIHFR9014-GE3	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK	840 Maggiori informazioni su Ordine
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IPL65R210CFDAUMA1	MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON	966 Maggiori informazioni su Ordine
BSS123NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3	169550 Maggiori informazioni su Ordine
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SI7810DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8	2300 Maggiori informazioni su Ordine
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