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Numero parte | PSMN8R5-100PSQ |
LIXINC Part # | PSMN8R5-100PSQ |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PSMN8R5-100PSQ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PSMN8R5-100PSQ |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Tj) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 8.5mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 111 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5512 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 263W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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In magazzino | 12835 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.68000 | $1.68 |
50 | $1.35220 | $67.61 |
100 | $1.21698 | $121.698 |
500 | $0.94654 | $473.27 |
1000 | $0.78427 | $784.27 |
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